SRM 2842 半導體薄膜：Alx鎵1-xAs外延層(Al摩爾分數x接近0.30)標準品

SRM 2842 半導體薄膜：AlxGa1-xAs外延層標準品 旨在用作測量薄膜成分的分析方法的參考標準，例如電子微探針分析 (EMPA)、光致發光 (PL)、俄歇電子能譜 (AES) 和 X 射線光電子能譜（XPS）。 SRM 2842 的一個單元由 AlxGa1-xAs 外延層組成，在安裝的砷化鎵 (GaAs) 襯底上生長經過認證的 Al 摩爾分數 x使用膠帶粘貼到不銹鋼圓盤上。每個單元都密封在含有氮氣氣氛的聚酯薄膜信封中。正確使用 SRM 作為比較標準取決于分析方法（參見“測量條件和程序”和 NIST 特別出版物 260-163 [1]）。

儲存和搬運：

AlGaAs是一種穩定的化合物，但薄膜在儲存和搬運過程中會受到表面污染和氧化。SRM 2842 半導體薄膜：AlxGa1-xAs外延層標準品應存放在無塵氮氣環境中或低于50°C的真空溫度下。在運輸到分析系統或在分析系統中使用時，偶然暴露在空氣中不會產生嚴重污染，直到這種暴露超過數千小時。SRM應由金屬安裝盤用干凈的非金屬鑷子處理，不得接觸半導體區域。半導體表面的顆粒污染物可以用去離子水或干燥的氮氣流去除，用戶必須確認沒有引入額外的污染物。用于將半導體安裝到不銹鋼盤上的膠帶可溶于異丙醇、丙酮和其他有機溶劑，使用這些溶劑可能會導致粘合劑或膠帶顆粒遷移到試樣表面。試樣表面的極端邊緣應排除在分析之外。

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